DDR3内存和DDR2内存有什么区别？

接触过电脑的朋友都知道，电脑内存中有DDR1、DDR2、DDR3，电脑专业人士一般称之为第一代内存、第二代内存、第三代内存。近两年DDR3内存开始流行，那么DDR3内存和DDR2内存有什么区别呢？ 1.突发长度。 因为DDR3的预取是88位，所以突发长度(BL)也固定为8。对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的。为此，DDR3增加了4-4位突发斩波模式，即BL=4的读操作和BL=4的写操作用于合成BL=8的数据突发传输。到时候，就可以通过了。此外，需要指出的是，任何突发中断操作都将被禁止，并且在DDR3存储器中不被支持，取而代之的是将采用更灵活的突发传输控制(例如4位顺序突发)。 2.寻址时序。 正如DDR2从DDR转型后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期与DDR2相比也会增加。DDR2的CL范围一般在2到5之间，而DDR3的范围在5到11之间，并且附加延迟(al)的设计也改变了。在DDR2，AL的范围是0 ~ 4，而在DDR3中，AL有三个选项，分别是0、CL-1和CL-2。此外，DDR3还增加了一个新的时序参数——写延迟(CWD)，这将取决于具体的工作频率。推荐阅读：计算机内存模型基础知识。 3.DDR 3的新重置功能。 复位是DDR3的一个重要新功能，为此专门准备了一个引脚。DRAM行业很早以前就要求增加这个功能，现在终于在DDR3上实现了。此引脚将使DDR3初始化过程变得简单。当复位命令有效时，DDR3存储器将停止所有操作，并切换到最小活动状态以省电。 在复位期间，DDR3存储器将关闭其大部分内部功能，所有数据接收器和发送器将关闭，所有内部程序设备将复位，DLL(延迟锁相环)和时钟电路将停止工作，数据总线上的任何移动都将被忽略。这样，DDR3将达到最大限度省电的目的。 4.DDR3增加了ZQ校准功能。 ZQ也是一个新的引脚，一个240欧姆的低容差参考电阻连接到这个引脚。该引脚通过命令集和片内校准引擎(ODCE)自动验证数据输出驱动器的导通电阻和ODT的终端电阻。当系统发出该命令时，它将使用相应的时钟周期(上电和初始化后512个时钟周期，退出自刷新操作后256个时钟周期，其他情况下64个时钟周期)重新校准导通电阻和ODT电阻。 5.参考电压分为两部分。 在DDR3系统中，对存储系统的运行非常重要的参考电压信号VREF将被分为两个信号，即服务于命令和地址信号的VREFCA和服务于数据总线的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信号和噪声水平。