如何区分DDR、DDR2和DDR3内存模块？

随着时间的推移，内存模块的制造技术不断提升，DDR/DDR2/DDR3内存模块的时代正在由旧变新，但这个过程并没有结束。现有的DDR4、DDR5内存模块正在不断创造推广条件。如果您不知道如何区分DDR1/DDR2/DDR3内存模块，您可以阅读以下内容来了解DDR、DDR2和DDR3之间的区别和分辨方法.

科技在进步，当然内存模块的生产技术也在发展，这就导致了DDR1、DDR2和DDR3内存模块的出现。代与代之间的差异如下：

　　ddr 1，2，3代内存的外观区别

DDR1:

一个缺口，单面92针，双面184针，左52右40，内存颗粒矩形。

DDR2:

一个缺口，单面120引脚，双面240引脚，左侧64右侧56，内存颗粒方形，电压1.8V

DDR3:

一个缺口，单面120针，双面240针，左72右48，内存颗粒方块，电压1.5V

它的工作电压一直在降低，所以功耗在逐渐降低，而性能却在提高。

至于主板上的插槽，三者都不一样。内存接口有一个小缺口。DDR DDR DDR2 DDR3内存中每个内存的接口不会在同一个位置，所以只能在购买时插入。在购买内存之前，您必须先查看主板上插槽支持的内存。且三个存储模块不兼容。

DDR DDR2 DDR3在内存容量上的区别

现在谁不是2G家用电脑？8G以上的也不少见吧？部分游戏玩家的最低要求是4G，对吧？如果这件事放在2000年，当时谁会相信呢？

DDR1的最小内存只有64M，最大内存只有1G。第二代的最小DDR为256M，最大DDR为4M。当然，使用DDR2 4G的人很少，常见的是1Gx2。而DDR3目前最小时为512M，最大时为8G。一般是这样使用4Gx2。或者2Gx2也是这样使用的。

DDR DDR2 DDR3在封装区别

TSOP是复员方案的早期封闭粮，FBGA包是从DDR2和复员方案3使用的。DDR2采用了三种规格：8位芯片采用60球/68球/84球FBGA封装，16位芯片采用DDR3球FBGA封装。而且，DDR3必须是绿色包装，没有任何有害物质。

参考电压分为两部分。在DDR3系统中，对于存储系统的运行非常重要的参考电压信号VREF将被分为两个信号，即服务于命令和地址信号的VREFCA和服务于数据总线的VREFDQ，这将有效提高系统数据总线的信噪比水平。

DDR DDR2 DDR3在突发长度（BurstLength，BL）

由于DDR3的预取是8位，所以突发长度(BL)也固定为8，而DDR的传输周期是2，而DDR2的传输周期是4。

DDR DDR2 DDR3在逻辑Bank数量上的区别

DDR中有2个银行和4个银行。DDR2有4家银行和8家银行。到DDR3时，已经有8家银行和16家银行。目前是为了满足未来大容量芯片的需求，DDR3大概会从2G开始，所以有8个逻辑库，也为未来16个逻辑库做好了准备。

DDR DDR2 DDR3的寻址时序区别（Timing）

从DDR一代到二代再到三代内存，延迟周期数一直在增加，三代内存的CL周期相对于二代内存也会相应增加。第二代内存的CL范围一般在2到5之间，但第二代内存已经增加到5到11之间，第三代内存延迟(AL)的设计也发生了变化。第二代内存中AL的范围是0到4，第三代内存中AL有三种选择，分别是0、CL-1和CL-2。此外，第三代内存还增加了一个新的时序参数——写延迟。

相对于DDR DDR2，DDR3新增的功能

DDR新增了复位功能，这是DDR3的重要功能，为此专门准备了一个引脚。此引脚将使DDR3初始化过程变得简单。当复位命令有效时，DDR3存储器将停止所有操作，并切换到最小活动状态以省电。

DDR3增加了ZQ校准功能，ZQ也是一个新的引脚。一个240欧姆的低容差参考电阻连接到此引脚。该引脚通过命令集和芯片校准引擎(ODCE)自动验证数据输出驱动器的导通电阻和ODT的终端电阻。当系统发出该命令时，导通电阻和ODT电阻将根据相应的时钟周期进行重新校准(上电和初始化后为512个时钟周期，退出自刷新操作后为256个时钟周期，其他情况下为64个时钟周期)。

以上是关于DDR、DDR2和DDR3的区别和解决方法。当然，如果用户没有实际的测量工具，可以使用第三方软件进行检测，但检测信息并不是绝对正确的。